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VUM 33-05N
40
A
T V J =100 ° C
V R = 350 V
max.
1.4
1.2
0.6
μ s
0.5
T V J =100 ° C
V R = 350 V
I RM
30
I F = 37 A
I F = 74 A
K t
1.0
t rr
0.4
max.
I F = 37 A
20
I F = 37 A
I F = 18.5 A
0.8
I RM
0.3
0.2
I F = 74 A
I F = 37 A
I F = 18.5 A
10
Q r
typ.
0.6
0.1
typ.
0
0
100
200
A/ μ
300 400 500 s 600
-di F /dt
0.4
20
40
60
T VJ
° C
80 100 120 140 160
0.0
0
100
200
300 400
-di F /dt
A/ μ
500 s 600
Fig. 12 Peak reverse current versus
-di F /dt (Boost Diode)
Fig. 13 Dynamic parameters versus
junction temperature (Boost Diode)
Fig. 14 Recovery time versus
-di F /dt (Boost Diode)
V FR
18
V
16
14
12
V FR
12
kW
10
P out
8
T S =85 ° C
V in = 230 V/50 Hz
10
kW
8
P out
6
T S =85 ° C
f c = 40 kHz
10
6
8
6
4
t FR
4
2
V in = 115 V/60 Hz
4
2
f c = 80 kHz
2
0
100
200
A/ μ s
300 400 500 600
0
0
20
40
60
80
100
kHz 120
0
0
50
100
150
V
200
250
di F /dt
Fig. 15 Peak forward voltage versus
-di F /dt (Boost Diode)
f c
Fig. 16 Output power versus carrier
frequency (Module)
V in (RMS)
Fig. 17 Output power versus
mains voltage
9
kW
8
7
f c = 80 kHz
V in = 230 V/50 Hz
1.5
K/W
1.2
VUM 33
P out 6
5
4
V in = 115 V/60 Hz
Z thJC
0.9
0.6
Rectifier Diodes
Boost Diode
3
2
1
0.3
MOSFET
0
40
60
80
100 °C 120
0.0
0.01
0.1
1
s
10
T S
Fig. 18 Output power versus
heatsink temperature (Module)
t
Fig. 19 Transient thermal impedance junction to case for all devices
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2007 IXYS All rights reserved
20070704a
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